[Highlight] FSI NIR InGaAs PhotoFETs Using Layer Transfer Technology / 【注目講演】転写技術による表面照射型近赤外InGaAs PhotoFET
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :1156
- Subject
20a-E204-4 InGaAs phototransistor semiconductor フォトダイオード,光伝導素子,フォトトランジスター,イメージング,センシング フォトトランジスタ 光・フォトニクス 半導体 半導体光デバイス - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613