Halide Vapor Phase Epitaxy of Single-Crystal c-In2O3(111) Using c-Plane Sapphire Off Substrates / c面サファイアoff基板を用いたc-In2O3(111)単結晶のHVPE成長
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3774
- Subject
19a-224A-8 crystal-growth halide vapor phase epitaxy indium oxide ハライド気相成長 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 結晶成長 薄膜成長 酸化インジウム - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613