Improvement of the hole mobility of SnO epitaxial films grown by pulsed laser deposition / パルスレーザー堆積法で作製したSnO薄膜における正孔移動度の向上
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2019, :4027
- Subject
21a-B31-5 Oxide semiconductor Pulsed laser deposition パルスレーザー堆積法 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 薄膜成長 酸化物半導体 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613