Electoronic Structure Analysis of a Complex of Screw Dislocation, Mg and H Impurities in GaN / GaNにおけるらせん転位とMgおよびH不純物の複合体の電子構造解析
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :3037
- Subject
13p-A302-2 Gallium Nitride III-V族窒化物結晶 dislocation semiconductor 半導体 窒化ガリウム 結晶工学 転位 電子物性, 磁気物性 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613