基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计 / A single-poly EEPROM cell based on standard CMOS process
- Resource Type
- Academic Journal
- Source
- 电子元件与材料 / Electronic Components & Materials. 41(7):719-724
- Subject
单层多晶硅EEPROM 常规CMOS工艺 MOS电容器 位粒度 富勒-诺德海姆隧穿效应 验证芯片 - Language
- Chinese
- ISSN
- 1001-2028