Nowadays, the development of power semiconductors has made that fuses used for their protection have to be improved. The high working frequency of IGBT leads to a modification of fuse characteristics. For high frequencies, it may occur a bad working due to an unequal current distribution between two fuses in parallel, or even between fuse's elements. The result is that fuse operates at below rated current. This unexpected operation can be attributed to proximity effects which are consequences of electromagnetic laws between close conductors. To prevent such a failure, their current rating must be reduced as a function of frequency and distance between the fuselink and other conductors (e.g. the return conductor). L'?volution des interrupteurs semi-conducteurs de puissance est telle que les fusibles assurant leur protection ont d? eux aussi se d?velopper. Ainsi, la fr?quence de travail ?lev?e de ces composants peut entra?ner des modifications des caract?ristiques du fusible. ? haute fr?quence, il peut appara?tre un dysfonctionnement d? ? une mauvaise r?partition des courants entre des fusibles en parall?le ou m?me entre les diff?rentes lames en parall?le constituant un fusible. Le r?sultat est alors une ouverture du fusible pour un courant inf?rieur ? la valeur sp?cifi?e par le constructeur. Ce dysfonctionnement peut ?tre attribu? aux ph?nom?nes d'effets de proximit? direct et inverse qui s'exercent sur plusieurs conducteurs proches. Pour ?viter une ouverture intempestive, il est n?cessaire de r?duire le calibre du fusible en fonction de la fr?quence et de la proximit? d'autres conducteurs (par exemple le conducteur de retour).