Effect of Dopant Concentration on High Voltage 4H-SiC Schottky Diodes.
- Resource Type
- Article
- Authors
- La Ia, Francesco; Galvagno, Giuseppa; Firrincieli, Andrea; Di Franco, Salvatore; Severino, Andrea; Leone, Stefano; Mauceri, Marco; Pistone, Giuseppe; Abbondanza, Giuseppe; Portuese, Ferdinando; Calcagno, Lucia; Foti, Gaetano
- Source
- MRS Online Proceedings Library; 2006, Vol. 911 Issue 1, p1-6, 6p
- Subject
- Language
- ISSN
- 19464274