13N 超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得 12N 高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N 超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测 试对13N 超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515 ×104 cm2·V-1·s-1,载 流子浓度为1.176 ×1010 cm-3,导电类型为p 型,位错密度为2 256 cm-2;尾部截面平均迁移率为4.620 ×104 cm2·V-1·s-1, 载流子浓度为1.007 ×1010 cm-3,导电类型为p 型,位错密度为2 589 cm-2 。晶体深能级杂质浓度为1. 843 ×109 cm-3 。 以上结果表明该晶体是13N 超高纯锗单晶. [ABSTRACT FROM AUTHOR]