利用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究过渡金属X(X=Cr, Mn, Fe, Tc, Re)原子掺 杂 Janus Ga2 SSe的磁性、电子性质及光学性质. 研究表明:过渡金属掺杂 Janus Ga2 SSe 体系在 Chalcogen - rich 条件下有着比Ga-rich条件下更好的稳定性. 其中Mn掺杂体系形成能在两种条件下皆为最低.本 征 Ga2 SSe 是具有2.02 eV带隙的间接带隙半导体,在紫外区域有着很好的光伏吸收能力,与本征Gay SSe 相比,Cr掺杂体系自旋向上通道出现杂质能级,自旋向上向下通道不对称,呈磁矩为2.797μB铁磁性半 金属.Mn掺杂体系在其自旋向上通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.645μB的磁性P型半导体.Fe掺杂体 系自旋向下通道产生的杂质能级,呈磁矩为3.748μB 磁性P型半导体,在Te与Re掺杂后,带隙皆由间接 变直接带隙,呈无磁性的P型半导体. 从光学性质来看,各掺杂体系与未掺杂Ga2 SSe在介电常数和折射 系数上相比有着明显的增强,吸收系数在高能量区(3~10V)出现蓝移现象,有着在紫外探测器和光伏 吸收领域潜在的应用前景 [ABSTRACT FROM AUTHOR]