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1 . Academic Journal
Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack
저자
by
Jiang, Guangyuan
;
Cui, Peng
;
Liu, Yang
;
Yang, Guang
;
Lv, Yuanjie
, et al.
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In
Solid State Electronics
March 2023 201
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7 . Academic Journal
Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron -mobility transistors
저자
by
Jiang, Guangyuan
;
Cui, Peng
;
Zhang, Guangyuan
;
Zeng, Yuping
;
Yang, Guang
, et al.
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In
Microelectronics Journal
November 2022 129
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RefWorks
7 . Academic Journal
A submicron split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for class-A common-source voltage amplifier applications
저자
by
Liu, Yang
;
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Yang, Yongxiong
;
Jiang, Guangyuan
, et al.
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In
Micro and Nanostructures
August 2022 168
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7 . Academic Journal
Temperature dependence of the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN HFETs
저자
by
Liu, Yan
;
Chen, Simin
;
Cheng, Zhiqun
;
Wang, Tao
;
Huang, Changyang
, et al.
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In
Micro and Nanostructures
April 2022 164
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RefWorks
7 . Academic Journal
The mechanism of the enhanced intensity for polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field effect transistors with submicron gate length
저자
by
Jiang, Guangyuan
;
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Yang, Yongxiong
;
Liu, Yang
, et al.
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In
Solid State Electronics
December 2021 186
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RefWorks
7 . Academic Journal
The relationship between AlGaN barrier layer thickness and polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
저자
by
Jiang, Guangyuan
;
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Liu, Yang
;
Wang, Mingyan
, et al.
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In
Superlattices and Microstructures
August 2021 156
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RefWorks
7 . Academic Journal
Comparison of ratio of gate length to gate-drain distance influences on source access resistance of AlGaN/AlN/GaN HFETs at different temperatures
저자
by
Liu, Yan
;
Chen, Simin
;
Lin, Zhaojun
;
Jiang, Guangyuan
;
Wang, Tao
.
소스
In
Microelectronic Engineering
15 July 2021 247
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RefWorks
7 . Academic Journal
The influence of Al composition in AlGaN barrier layer on polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
저자
by
Jiang, Guangyuan
;
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Yang, Yongxiong
;
Liu, Yang
.
소스
In
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
March 2021 127
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7 . Report
Active Reasoning in an Open-World Environment
저자
by
Xu, Manjie
;
Jiang, Guangyuan
;
Liang, Wei
;
Zhang, Chi
;
Zhu, Yixin
.
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Open Access (Arxiv)
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7 . Academic Journal
Effect of device size on conduction channel effective width and polarization Coulomb field scattering intensity of split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors.
저자
by
Liu, Yang
;
Fu, Chen
;
Jiang, Guangyuan
;
Zhang, Guangyuan
;
Yang, Guang
, et al.
소스
Journal of Applied Physics
. 10/28/2023, Vol. 134 Issue 16, p1-8. 8p.
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