본 연구에서는 Ba2+ co-doped Sr2SiO4:Eu2+ 황색 형광체에 원자층 증착법으로 SiOx 박막을 증착한 연구를 수행하였다. SiOx 박막 증착과정에 사용한 precursor로는 Si(OC2H5)4를 사용하였고, catalyst gas로는 C2H5N을 사용하였으며, reactant gas로는 H2O를 사용하였다. 화학양론 조성을 분석하기 위하여 XPS를 이용하여 정성 및 정량 분석을 하였고, 형광체 표면 위에 코팅된 SiOx 박막의 표면특성을 분석하기 위해 FE-SEM으로 관찰하였으며, TEM 이미지를 통해 SiOx 박막의 두께를 관찰한 결과 0.26Å/cycle 코팅이 된 걸 확인하였다. SiOx 박막 코팅전후의 발광 특성 및 효율을 분석하기 위하여 PL intensity를 측정하였으며 측정결과 7.1~44.9% 발광 특성이 향상된 걸 확인하였다. 또한 형광체의 분산안정성을 측정하기 위해 zeta-potential 측정을 하였다.
An investigation is reported for the growth of nano-scaled SiOx films on Ba2+ co-doped Sr2SiO4:Eu2+ yellow phosphors using atomic layer deposition. Silicon oxide films were prepared at the 30℃ using Si(OC2H5)4, C2H5N and H2O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. XPS analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was silicon oxide. TEM analysis showed uniform SiOx thin film, and the growth rate was about 0.26 Å/cycle. The photoluminescence intensity for coated phosphors showed 7.1~44.9% higher than that of uncoated. In addition, zeta-potential, dispersion stability of the phosphor analysis.